ЛИТЕРАТУРА ПО ФУНДАМЕНТАЛЬНЫМ И ПРИКЛАДНЫМ НАУКАМ
|
Авторизация
|
|||||||||||
КнигиТвердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды
396 руб.
Уже в корзине
В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии "Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды" детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространённых твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSn, CdHgTe, SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешёток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного. Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и "Приборостроение". Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям "Физика полупроводников", "Физическая электроника", "Твердотельная электроника…", "Квантовая электроника", "Технология… приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука". Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем. Оглавление Предисловие Глава 1. Свойства приграничных областей, Шоттки-барьеров и переходов в полупроводниках 1.1. Свойства поверхности полупроводника 1.1.1. Идеализированная поверхность полупроводника 1.1.2. Реальная поверхность полупроводника 1.1.3. Поверхностная область пространственного заряда 1.1.4. Скорость поверхностной рекомбинации 1.2. Работы выхода металлов и полупроводников. Термоэлектронная эмиссия 1.3. Контакт полупроводника и металла 1.4. Выпрямление на контакте полупроводника и металла 1.4.1. Влияние электрического напряжения на высоту потенциального барьера и толщину области пространственного заряда 1.4.2. Диодная теория выпрямления 1.4.3. Диффузионная теория выпрямления 1.4.4. Эффект Шоттки 1.5. Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Барьерная ёмкость. рin-диоды. 1.6. Вольтамперные характеристики переходов 1.6.1. Квазиуровни Ферми 1.6.2. Вольтамперные характеристики перехода при генерации и рекомбинации носителей в его нейтральных областях 1.6.3. Вольтамперные характеристики переходов с тонкой областью 1.6.4. Вольтамперные характеристики переходов при генерации и рекомбинации носителей в области пространственного заряда 1.6.5. Вольтамперные характеристики и применения и гетеропереходов 1.7. Свойства переходов при малом переменном напряжении. Диффузионная ёмкость 1.8. Структуры "металл-диэлектрик-полупроводник" и приборы с зарядовой связью 1.9. Электрические контакты к полупроводниковым структурам 1.9.1. Нейтральные контакты 1.9.2. Антизапорные контакты 1.9.3. Контакты с изотипными переходами и гетеропереходами Глава 2. Физические явления в фотодиодах 2.1. Фотогальванический эффект в фотодиодах 2.2. Типовые структуры фотодиодов. рin фотодиоды 2.3. Вольтамперная и нагрузочная характеристики фотодиода. Эквивалентная схема фотодиода 2.4. Фотодиод и Солнце 2.5. Дрейф носителей через область пространственного заряда 2.6. Частотная характеристика фототока, генерированного в нейтральных областях перехода 2.7. Тонкобазные фотодиоды. Фотодиоды с градационным электрическим полем 2.8. Спектральные характеристики чувствительности фотодиодов 2.9. Продольное растекание фототока в тонкобазных фотодиодах. Координатно-чувствительные фотодиоды с продольным фотоэффектом 2.10. Термо- и фотоиндуцированные шумы фотодиода при генерации носителей заряда в нейтральных областях 2.11. Шумы фотодиода при генерации носителей в области пространственного заряда 2.12. Ограничение частотных характеристик при стыковке фотодиода с усилителем Глава 3. Физические явления в лавинных фотодиодах 3.1. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок 3.2. Коэффициент умножения лавинных фотодиодов 3.3. Инерционность лавинных фотодиодов 3.4. Лавинные фотодиоды с раздельными областями поглощения и умножения 3.5. Шумы и пороговая чувствительность лавинных фотодиодов 3.6. Лавинные фотодиоды с шум-фактором, меньшим 2 3.6.1. Лавинные фотодиоды с субмикронной областью умножения 3.6.2. Многокаскадные лавинные фотодиоды 3.7. Лавинные фотодиоды в режиме счёта фотонов 3.8. Лавинное умножение электронов в приборах с зарядовой связью Глава 4. Полупроводниковые фотодиоды (в том числе лавинные и матричные) с длинноволновой границей спектральной чувствительности менее 2 микрон 4.1. Кремниевые фотодиоды 4.1.1. Кремниевые pin фотодиоды 4.1.2. Лавинные фотодиоды из кремния 4.1.3. Фотоприёмные устройства с кремниевыми фотодиодами 4.1.4. Матричные формирователи сигналов изображения из кремния 4.1.5. Монолитные фотоприёмные устройства и матрицы на основе кремниевых лавинных фотодиодов. 4.2. Фотодиоды на основе гетеропереходов / 4.2.1. Фотодиоды на основе pin гетеропереходов 4.2.2. Лавинные гетерофотодиоды 4.2.3. Лавинные фотодиоды на основе гетероструктур 4.2.4. Многокаскадные лавинные фотодиоды 4.2.5. Фотодиоды с переносом электронов (UTC -PD) 4.3. Германиевые фотодиоды 4.4. Ультрафиолетовые, солнечно-cлепые и видимо-слепые фотодиоды Глава 5. Полупроводниковые фотодиоды (в том числе лавинные и матричные) с длинноволновой границей спектральной чувствительности более 2 микрон 5.1. Фотодиоды из полупроводникового кадмий-ртуть-теллура 5.1.1. Свойства кадмий-ртуть-теллура и его эпитаксиальных слоёв 5.1.2. Историческая справка 5.1.3. Фокальные матрицы фотодиодов из кадмий-ртуть-теллура 5.1.4. Двухдиапазонные фокальные матрицы 5.1.5. Лавинные фотодиоды и матрицы на их основе 5.2. Фотодиоды из антимонида индия, арсенида индия и 5.2.1. Фотодиоды из антимонида индия 5.2.2. Арсенид индия, и фотодиоды на их основе 5.2.3. Фотоприёмники с энергетическим барьером для основных носителей 5.3. Инфракрасные фотоприёмники из кремния 5.3.1. Фотодиоды с внутренней фотоэмиссией 5.3.2. Фотоприёмники с блокированной примесной зоной 5.4. Фотодиоды на основе квантово-размерных структур 5.4.1. Квантово-каскадные фотоприёмники 5.4.2. Фотоприёмники с квантовыми точками 5.4.3. Фотодиоды и структуры на основе напряжённых сверхрешёток II-типа со смещённой запрещённой зоной Заключение Приложения П.1. Классификация твердотельных приёмников излучения П.2. Понятие об идеальном квантовом фотоприёмнике П.3. Система характеристик и параметров фотоприёмников и фотоприёмных устройств П.4. Об эпитаксиальном выращивании полупроводниковых слоёв и гетеропереходов Список рекомендуемой литературы Биографии авторов |
Новости
2024-04-11
14-го апреля (воскресенье) магазин в МФТИ работает с 9:00 до 18:00
2024-02-10
11-го февраля(воскресенье) магазин в МФТИ работает с 9:00 до 18:00
2023-12-26
Уважаемые покупатели! В связи с новогодними каникулами заказы, оформленные после 26.12.2023, будут обработаны после 9 января 2024 г. Заказы, содержащие только книги издательства «ФИЗМАТКНИГА», будут отправлены раньше. Приносим извинения за задержку!
2023-10-30
31-го декабря, 1, 2, 3 и 7-го января — магазин не работает
4,5, и 6-го января — магазин работает с 10:00 до 17:30
с 8-го января — в обычном режиме
Лидеры продаж
|
|||||||||||
© ООО «Научная книга», 2021 |